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SVG095R0NT(S)
低压MOS功率管

SVG095R0NT(S)  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

主要特点
  • 120A,90V,RDS(on)(典型值)=4.4mW@VGS=10V

  • 低栅极电荷量

  • 低反向传输电容

  • 开关速度快

  • 提升了dv/dt 能力

技术文档
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新中文版本
SVG095R0NT(S) PDF 469 2020-10-11 SVG095R0NT(S) 说明书_1.3
封装外形图