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SJT2194NPN
NPN型硅三极管

SJT2194NPN NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造,多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT2194NPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。

该产品主要应用于高功率音频输出,磁头定位器和线性应用程序。具有线性范围宽、失真度低的特点。

SJT2194NPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。

互补PNP:SJT2193PPN

主要特点
  • 较高的击穿电压余量。

  • 非常低的漏电电流。

  • 高输出功率:200W;

  • 较高的二次击穿耐量和可靠性。


技术文档
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新中文版本
SJT2194NPN PDF 351 2020-05-10 SJT2194NPN 说明书_1.1
封装外形图