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SVFP7N65CD(MJ)
平面高压MOS

SVFP7N65CD(MJ)  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压HPWM马达驱动。


主要特点
  • 7A,650V,RDS(on)(典型值)=1.1W@VGS=10V

  • 低栅极电荷量

  • 低反向传输电容

  • 开关速度快

  • 提升了dv/dt能力

技术文档
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新中文版本
SVFP7N65CD(MJ) PDF 323 2023-05-03 SVFP7N65CD(MJ) 说明书_1.1