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SGM950PB8B3TFM是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于混动和纯电动汽车等应用领域,具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级,为严苛环境条件下的逆变器运行,提供更可靠的保障。

主要特点
  •  基于精细沟槽的FS-V技术,阻断电压达750V

  • VCE(sat) 同时具备正温度系数

  • 低开关损耗

  • 低Qg和Cres

  • 采用导热性优良的DBC

  • 每相内置NTC

  • 直接水冷基板,低热阻

产品规格分类
产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 备注
SGM950PB8B3TFM B3 SGM950PB8B3TFM / 纸箱
内部框图

1590471378374616OrEH.png

技术文档
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新中文版本
SGM950PB8B3TFM PDF 251 2021-09-17 SGM950PB8B3TFM 说明书
封装外形图