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SVT044R5NT/D/L5
低压MOS功率管
描述 主要特点 技术文档 相关封装外形图

SVT044R5NT/D/L5  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

主要特点

  • 178A，40V低栅极电荷量

  • 低反向传输电容

  • 开关速度快

  • 提升了dv/dt 能力

技术文档
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新中文版本
SVT044R5NT/D/L5 PDF 460 2020-08-26 SVT044R5NT(D)(L5) 说明书_1.5