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SVF7N60CF(S)(K)(MJ)(D)(T)
平面高压MOS功率管

SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

Main feature
  • 7A,600V,RDS(on)(典型值)=0.96Ω@VGS=10V

  • 低栅极电荷量

  • 低反向传输电容

  • 开关速度快

  • 提升了dv/dt 能力

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SVF7N60CF(S)(K)(MJ)(D)(T) 0 2020-04-10 SVF7N60CF(S)(K)(MJ)(D)(T) Datasheet_1.8