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3VT062020YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型20V MOS功率场效应晶体管;
极低的导通阻抗;
低栅极电荷;
优越的开关特性;
该芯片采用SOP8封装,典型的成品规格为4A/20V;
封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。