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3VT081030YH
N沟道增强型MOSFET芯片

3VT081030YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型30V MOS功率场效应晶体管;

极低的导通阻抗;

低栅极电荷;

优越的开关特性; 

该芯片采用SOP8封装,典型的成品规格为6A/30V;

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压HPWM马达驱动。