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3VT188100GYH
N沟道增强型MOSFET芯片

3VT188100GYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型100V MOS功率场效应晶体管;

极低的导通阻抗;

低栅极电荷;

优越的开关特性;

该芯片采用TO-220-3L封装,典型的成品规格为43A/100V;

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压HPWM马达驱动。