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3VT188100GYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型100V MOS功率场效应晶体管;
极低的导通阻抗;
低栅极电荷;
优越的开关特性;
该芯片采用TO-220-3L封装,典型的成品规格为43A/100V;
封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。