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3VT068020YH
N沟道增强型MOSFET芯片

3VT068020YH 为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型20V MOS功率场效应晶体管;

极低的导通阻抗; 

低栅极电荷;

优越的开关特性;

该芯片采用SOP8封装,典型的成品规格为5A/20V;

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压HPWM马达驱动。