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2ES034XXXS1PJL是利用先进的硅电路工艺生产的双向低电容瞬态电压抑制芯片,适合于SOD、FBP和DFN等多种封装外形;
输入端对地电容典型值0.9pF;
低钳位电压;
快速的响应速度;
低漏电流(< 1μA);
适合于高速数据传输线的ESD保护;
IEC61000-4-2(ESD) :±8kV(空气模式);±8kV(接触模式)。