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2ES022067R1P是利用先进的硅电路工艺生产的单向单通道低电容静电放电保护器件系列,适合于DFN1006和DFN0603等封装外形;
输入端对地不大于0.9pF的低电容结构;
低钳位电压;
快速的响应速度;
低漏电流(< 100nA);
适合于高速数据传输线的ESD保护;
IEC61000-4-2(ESD) :±10kV(空气放电);±8kV(接触放电)。