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3VD290060YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型60V低压MOS功率场效应晶体管;
较高的雪崩能量;
优越的开关性能;
该芯片对应典型的成品规格为50A/60V;
封装后的成品广泛应用于功率电源,电源逆变器等领域。