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3VD290060YH
低压MOSFET芯片

3VD290060YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型60V低压MOS功率场效应晶体管;

较高的雪崩能量;

优越的开关性能;

该芯片对应典型的成品规格为50A/60V;

封装后的成品广泛应用于功率电源,电源逆变器等领域。