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3VD041030NEJL-6-180
带稳压管ESD保护结构的N沟道MOSFET芯片

3VD041030NEJL-6-180为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS场效应晶体管;

ESD保护结构,ESD可达500V(人体模式);

采用高密度元胞设计,低导通电阻;

高稳定度和高可靠性;

高速的开关特性;

高饱和电流能力;

该芯片可采用SOT-23形式封装,典型的成品规格为3018

封装后的成品广泛应用于小型伺服电机控制、功率MOS管栅极驱动以及其他开关应用场合。