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3VD050060NEJL-6-180为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS场效应晶体管;
带稳压管ESD保护结构,ESD可达2KV(HMB);
采用高密度元胞设计,低导通电阻;
高稳定度和高可靠性;
高速的开关特性;
高饱和电流能力;
该芯片可采用SOT-23-3L型式封装,典型的成品规格为2N7002K;
封装后的成品广泛应用于小型伺服电机控制、功率MOS管栅极驱动以及其他开关应用场合。