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3VD136600YL
高压MOSFET芯片

■3VD136600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管;

■先进的高压分压终止环结构;

■较高的雪崩能量;

■漏源二极管恢复时间快;

■封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压HPWM马达驱动。