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3VD169600YL
高压MOSFET芯片

3VD169600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管;

先进的高压分压终止环结构;

较高的雪崩能量;

漏源二极管恢复时间快;

该芯片可采用TO-92-3L型式封装,典型的成品规格为1N60

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压HPWM马达驱动。