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3VD195600SYH
高压MOSFET芯片

3VD195600SYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压功率MOS场效应晶体管;

士兰微电子自有的DP MOS工艺;

极低的漏源导通电阻RDS(on)

低导通损耗、低开关损耗;

高速开关;

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,照明领域。