About Silan
News
Contact Us
3VD195600SYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压功率MOS场效应晶体管;
士兰微电子自有的DP MOS工艺;
极低的漏源导通电阻RDS(on);
低导通损耗、低开关损耗;
高速开关;
封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,照明领域。