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SVS47N60PND2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。

此外,SVS47N60PND2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。


Main feature
  • 47A,600V, RDS(on)(typ.)=55mW@VGS=10V 

  • 创新高压技术

  • 低栅极电荷

  • 较强的雪崩能力

  • 较强的dv/dt能力

  • 较高的峰值电流能力


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SVS47N60PND2 0 1970-01-01 SVS47N60PND2 说明书_1.0
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