厦门士兰集宏半导体有限公司
厦门士兰集宏半导体有限公司（简称士兰集宏）成立于2024年03月06日，注册资本金：42.1亿元，主要生产8英寸SiC功率器件芯片，项目规划用地面积13.7公顷(约205亩)，建设地点为厦门市海沧区南海路三路999号。
项目规划总投资120亿元人民币，分两期建设；其中一期投资70亿元人民币，包括建设厂房等基础设施，购置生产和动力设备等，建成后形成年产42万片（月产3.5万片）8英寸SiC功率器件芯片的生产能力，目前正在进行一期项目建设，厂房和其他建筑物已于2025年2月28日全面封顶，2026年1月4日通线；2026年-2028年持续产能爬坡，预计2029年完全达产。二期项目预计2028年年底前启动，计划投资50亿元人民币，建成后将新增年产30万片（月产2.5万片）8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。一期和二期合计形成年产72万片（月产6万片）的产能。
士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片建设项目建成后将满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内 8 吋碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。
