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SVF9N90F
平面高压MOS功率管

SVF9N90F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

主要特点
  • 9A,900V,RDS(on)(典型值)=1.10Ω@VGS=10V

  • 低栅极电荷量

  • 低反向传输电容

  • 开关速度快

  • 提升了dv/dt 能力

技术文档
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新中文版本
SVF9N90F PDF 334 2020-08-12 SVF9N90F 说明书_2.0
封装外形图