SVF9N90F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
9A,900V,RDS(on)(典型值)=1.10Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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SVF9N90F | 334 | 2020-08-12 | SVF9N90F 说明书_2.0 |