SVSP10N80F(D)(MJ)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVSP10N80F(D)(MJ)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
10A,800V, RDS(on)(typ.)=0.55W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SVSP10N80F(D)(MJ)D2 | 448 | 2020-04-10 | SVSP10N80F(D)(MJ)D2 说明书_1.0 |
