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SVSP12N80FJH
超结MOS功率管

SVSP12N80FJH  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。

此外,SVSP12N80FJH应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。

主要特点
  • 12A,800V, RDS(on)(typ.)=0.37W@VGS=10V 

  • 创新高压技术

  • 低栅极电荷

  • 较强的雪崩能力

  • 较强的dv/dt能力

  • 较高的峰值电流能力

封装外形图