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SVT1104SA
低压MOS功率管
描述 主要特点 技术文档 相关封装外形图

SVT1104SA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用Trench MOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有极低的导通电阻以及优越的开关性能。

该产品可广泛应用于不间断电源，DC-DC电源转换器，同步镇流，开关等领域。

主要特点

  • 4A，40V，RDS(on)（典型值）=36mW@VGS=10V

  • 低栅极电荷量

  • 开关速度快 

  • 提升了dv/dt 能力

技术文档
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新中文版本
SVT1104SA PDF 308 2020-04-11 SVT1104SA 说明书_1.1
封装外形图
SOP-8-225-1.27
SOP-8-225-1.27