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SJT1837PF
PNP型硅三极管

SJT1837PF PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造,多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT1837PF具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。

该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级或驱动级,具有线性范围宽、失真度低的特点。

SJT1837PF三极管目前可提供TO-220F-3L封装外形。

SJT1837PF配对的互补NPN管:SJT4793NF。


主要特点
  • 较高的击穿电压余量;

  • 非常低的漏电电流;

  • 高输出功率:20W;

  • 较高的二次击穿耐量和可靠性。

技术文档
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新中文版本
SJT1837PF PDF 263 2020-05-10 SJT1837PF说明书_1.1
封装外形图