SJT2193PPN/PL PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT2193PPN/PL具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。
该产品主要应用于高功率音频输出，磁头定位器和线性应用程序。具有线性范围宽、失真度低的特点。
SJT2193PPN/PL三极管目前可提供TO-3P和TO-264-3L封装外形。
互补NPN管：SJT2194NPN。
较高的击穿电压余量。
非常低的漏电电流。
高输出功率：200W；
较高的二次击穿耐量和可靠性。
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SJT2193PPN(PL) | 385 | 2020-05-10 | SJT2193PPN(PL)说明书_1.0 |
