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SJT0281NPN
NPN型硅三极管

SJT0281NPN NPN型低频大功率管采用士兰微电子先进的硅平面工艺制造,三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0281NPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。

该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级,具有线性范围宽、失真度低的特点。

SJT0281NPN三极管采用TO-3P封装外形

SJT0281NPN配对的互补PNP:SJT0302PPN。


主要特点
  • 较高的击穿电压余量。

  • 非常低的漏电电流。

  • 高输出功率:150W;

  • 较高的二次击穿耐量和可靠性。


技术文档
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新中文版本
SJT0281NPN PDF 235 2020-05-10 SJT0281NPN说明书_1.1
封装外形图