SVD3205T/F/S N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子平面低压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于电子镇流器，低功率开关电源。
110A，55V，RDS(on)（典型值）=7.5mW@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SVD3205T(F)(S) | 350 | 2020-09-02 | SVD3205T(F)(S) 说明书_1.8 |
