SVF18N65EFJH 是 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
18A，650V，RDS(on)(典型值)=0.48W@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SVF18N65EFJH | 453 | 2020-12-05 | SVF18N65EFJH 说明书_1.0 |
