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SVT3025D4
低压MOS功率管
描述 主要特点 技术文档

SVT3025D4  N+P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。


主要特点

  • 低栅极电荷

  • 低反向传输电容

  • 开关速度快

  • 提升了dv/dt 能力

  • 100%雪崩测试

  • 无铅管脚镀层

  • 符合RoHS环保标准

技术文档
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新中文版本
SVT3025D4 PDF 539 2020-12-05 SVT3025D4 说明书_1.0