SVSP65R041P7HD3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVSP65R041P7HD3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
70A，650V，RDS(on)(典型值)=37mΩ@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SVSP65R041P7HD3 | 539 | 2020-12-10 | SVSP65R041P7HD3 说明书_0.1 |
