SGM225TL12D4DTFD是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的三电平拓扑模块。该模块适用于储能领域，具有高电流密度、低导通压降和高阻断电压等级，为严苛环境条件下的逆变器运行，提供更可靠的保障。
基于精细沟槽的FS-V技术，阻断电压达1200V
低VCE(sat)同时具备正温度系数
低开关损耗
采用铜底板技术
| 产品名称 | 封装形式 | 打印名称 | 环保等级 | 包装 | 备注 |
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| SGM225TL12D4DTFD | D4D | SGM225TL12D4DTFD | / | 纸箱 |
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SGM225TL12D4DTFD | 310 | 2025-06-25 | SGM225TL12D4DTFD 简要版说明书 |
