SGM650PB8B1CTFM_T2是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于混动和纯电动汽车等应用领域，具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级，为严苛环境条件下的逆变器运行，提供更可靠的保障。
650A/750V，VCEsat(典型值) =1.61V@IC=650A
基于精细沟槽的FS-V++技术，阻断电压750V
低VCE(sat)同时具备正温度系数
Tvjop=175°C
采用导热性优良的DBC
每相内置NTC
直接水冷基板，低热阻
| 产品名称 | 封装形式 | 打印名称 | 环保等级 | 包装 | 备注 |
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| SGM650PB8B1CTFM_T2 | B1C | SGM650PB8B1CTFM_T2 | / | 纸箱 |
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SGM650PB8B1CTFM_T2 | 305 | 2026-03-30 | SGM650PB8B1CTFM_T2 简要版说明书 |
