SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
11A,600V, RDS(on)(typ.)=0.3W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SVS11N60D(F)(S)(FJ)(T)(K)D2 | 494 | 2020-04-08 | SVS11N60D(F)(S)(FJ)(T)(K)D2 说明书_2.1 |
