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SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2
超结MOS功率管
描述 主要特点 相关封装外形图

SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度等特性，提高热行为。

此外，SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域。


主要特点

  • 7A,650V, RDS(on)(typ.)=0.55W@VGS=10V 

  • 创新高压技术

  • 低栅极电荷

  • 较强的雪崩能力

  • 较强的dv/dt能力

  • 较高的峰值电流能力