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3VT167060GYH
N沟道增强型MOSFET芯片
描述

3VT167060GYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型60V MOS功率场效应晶体管；

极低的导通阻抗；

低栅极电荷；

优越的开关特性；

该芯片采用SOP8封装，典型的成品规格为13.5A/60V；

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。