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3VD192650YH-230
高压MOSFET芯片
描述

3VD192650YH-230为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型650V高压MOS功率场效应晶体管；

先进的高压分压终止环结构；

较高的雪崩能量；

该芯片对应典型的成品规格为2A/650V；

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。