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3VD311200YH
N沟道增强型MOSFET芯片
描述

3VD311200YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；

较高的雪崩击穿耐量；

优越的开关性能；

该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD640；

封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。