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3VD083600DEYL
N沟道耗尽型高压MOSFET芯片
描述

3VD083600DEYL为采用硅外延工艺制造的N沟道耗尽型600V高压MOS功率场效应晶体管；

先进的高压分压终止环结构；

带稳压管ESD保护结构；

漏源二极管恢复时间快；

该芯片可采用SOT-23型式封装，典型的成品规格为501；

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。