STS65R580D(F)(S)S2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，STS65R580D(F)(S)S2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
8A,650V, RDS(on)(typ.)=0.52W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| STS65R580D(F)(S)S2 | 425 | 2020-10-11 | STS65R580D(F)(S)S2 说明书 _1.1 |
