SVG069R5ND(MJ)(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
60A，60V，RDS(on)（典型值）=8mW@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SVG069R5ND(MJ)(T) | 342 | 2020-10-11 | SVG069R5ND(MJ)(T) 说明书_1.2 |
