SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度等特性，提高热行为。
此外，SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域。
7A,650V, RDS(on)(typ.)=0.55W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 | 364 | 2020-08-26 | SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 说明书_1.6 |
