SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
20A,600V, RDS(on)(typ.)=0.16W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 | 412 | 2021-01-20 | SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 说明书_1.6 |
