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3VD290060YL
低压MOSFET芯片
描述

3VD290060YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型60V低压MOS功率场效应晶体管；

较高的雪崩能量；

开关速度快；

该芯片可采用TO-220型式封装，典型的成品规格为50N06；

封装后的成品广泛应用于UPS电源。