SVF3878PN N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子特有的F-CellTM结构VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器， H桥PWM马达驱动。
9A，900V，RDS(on) (typ.)=1.0Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低Crss
开关速度快
提升了dv/dt 能力
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SVF3878PN | 352 | 2023-05-03 | SVF3878PN 说明书_1.1 |
