11月2日，2026中国芯集成电路产业促进大会暨第二十一届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海隆重举行。
本届活动共收到来自273家芯片企业的364款芯片产品报名，士兰微电子自主研发的的 SCDP230R012NB2CPHC 芯片凭借突出的技术创新能力和产品性能，在一众产品中脱颖而出，荣获第二十一届“中国芯”优秀技术创新产品奖。
产品核心介绍
SCDP230R012NB2CPHC芯片是士兰微电子基于自主研发的碳化硅技术推出的超高压2300V SiC MOSFET，在额定电压、导通电阻、开关损耗等关键参数上实现全面进阶，参数性能指标达到国际领先水平。依托士兰微IDM设计与制造一体化的优势，士兰微SiC MOS在提升效率性能的同时具备高性价比、高一致性、高可靠性等特点，已在汽车电子、充电桩、AI数据中心电源、光伏储能、工业电源等应用取得了较好的市场份额表现和良好的客户反馈，为高压大功率电力电子提供国产化器件方案。
产品特点
133A，2300V， RDS(on)(typ.) = 12mΩ@VGS = 18V
碳化硅技术
开关损耗低
低反向恢复电荷
降低散热要求
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
据了解，“中国芯”系列活动是国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业会议之一,其评选结果代表了国内集成电路产品的最高水准,充分体现了国内集成电路设计的发展和创新方向。
此次获奖不仅体现了对于SCDP230R012NB2CPHC产品价值及市场表现的高度认可，也是对士兰微电子技术积淀、创新能力和行业地位的重要肯定。
自成立以来，士兰微电子通过不断提升研发实力、优化产品性能，为国产芯片的崛起和发展注入新的活力。凭借对芯片技术的专注与深耕，公司产品在白电、汽车、工业等领域实现成熟应用的同时，正加速向新能源、AI算力、人形机器人等新兴赛道布局。
未来，士兰微电子将继续致力于自主创新和技术突破，持续完善产品矩阵和制造平台能力，以更高性能、更高可靠性的半导体产品服务客户需求，为中国芯的产业繁荣与全球竞争力的提升贡献士兰力量。
