8月13日，第九届中国数字电源关键元器件应用创新峰会（华东站）在江苏苏州隆重举行。本届峰会以“核心智变·能效跃迁”为主题，设置AI服务器电源与算力能效、光储充关键元器件、800V超充与三代半技术三大平行论坛，汇聚产业链上下游企业共议数字电源前沿趋势。士兰微电子受邀参会，公司器件成品市场部庄经理在“第八届800V超充与三代半技术研讨会”上发表《聚力800V超充：士兰SiC全栈赋能》主题演讲。
演讲中，庄经理围绕800V车型普及浪潮下的超充破局之道、超充产业市场空间与增长逻辑，以及士兰微SiC产品全栈布局三条主线展开分享。他指出，随着800V高压架构车型加速下放，超充桩（单枪≥250kW、适配800V+、液冷）成为承接补能需求的唯一破局之道，而SiC功率器件，正成为超充赛道爆发式增长的核心受益环节。
在演讲后主办方的采访中，庄经理进一步分享了整机厂商选型需求的新变化：随着能效标准日益硬性化——2025年11月充电桩能效国标实施，一级能效加权效率要求达96.5%以上，倒逼充电模块效率突破97%——SiC MOSFET已从“高端选配”变为“必选项”；与此同时，系统电压持续走高。光伏侧1500V已是主流、2000V正在到来，储能1500V直流方案成标配，超充侧800V已成主流，客户选型也从“单品匹配”转向“整体方案”。
针对这些变化，士兰微电子给出了自己的答案。第一，士兰微650V、1200V、1400V SiC系列产品覆盖户用、工商业、电站储能全场景，超充桩配套完整650V、1200V、1500V系列，助力客户满足一级能效并优化成本体积。第二，率先量产1400V IGBT平台，助力客户实现母线电压等级的提升，针对超充侧800V平台，由完整650V、1200V、1500V SiC系列完美适配。第三，士兰微电子将充分发挥IDM模式的独特优势，为客户提供拓扑建议、驱动匹配、热管理等端到端系统级支持。
目前，士兰微电子已形成覆盖650V至2300V多电压平台的SiC MOS产品矩阵，SiC单管实现稳定交付，可面向充电桩、车载OBC、光伏储能等多样化场景提供全栈赋能方案，与产业链上下游联动，共建超充生态。
作为国内功率半导体IDM龙头，士兰微电子2025年位列全球功率半导体第五强，拥有芯片设计、制造、封测全产业链能力，5/6/8/12英寸产线满产，8英寸SiC产线已于今年1月在厦门通线，一期规划年产42万片，SiC业务正进入加速放量期。
据NE时代数据，2026上半年，士兰微电子新能源乘用车功率模块装机量达85.6万套，位列全国前三，市场份额12.4%。此次亮相苏州数字电源峰会，是士兰微电子持续深耕800V超充赛道、以SiC全栈能力赋能产业的又一生动注脚。
在采访的最后，庄经理判断，AI算力电源、超充光储与固态变压器（SST）将成为行业下一阶段的技术重点：AI服务器功耗正从几十千瓦跃升至数百千瓦，800V高压直流架构加速落地；350kW以上充电模块中SiC渗透率已达76%，2030年光储SiC市场有望达50亿美元；SST将于2026年进入商业化落地关键期。
面向未来，士兰微电子将以“硅基IGBT/MOSFET、第三代半导体（SiC/GaN）、12英寸高端模拟”的三条主线与“SiC、AI服务器电源”的两大引擎持续布局，与行业同频共振，为AI服务器电源、超充光储、SST提供核心功率支撑。
